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武汉普赛斯仪表有限公司

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晶体管特性图示仪iv+cv测试
晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件,是一种半导体器件,放大器或电控开关常用;包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、晶闸管(后三者均为三端子)等。晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能,晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能;晶体管是规范操作电脑、手机、所有其他现
2024-04-18
高压程控电源IGBT耐压测试
E系列高压程控电源IGBT耐压测试特点和优势: 十ms级的上升沿和下降沿; 单台最大3500V的输出; 0.1%测试精度; 同步电流或电压测量; 支持程控恒压测流,恒流测压,便于扫描测试;详询一八一四零六六三四七六;部分技术参数最大输出功率:350W,3500V/100mA(不同型号有差异); 输出电压建立时间典型值:5ms; 输出接口:E
2024-04-15
功率器件igbt/mos测试设备
功率器件igbt/mos测试设备优势高电压、大电流具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(最大可扩展至10kV)具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)高精度测量nA级漏电流, μΩ级导通电阻0.1%精度测量模块化配置可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元测试效率高内置专
2024-04-15
霍尔延时响应测试设备300A/us上升沿
产品简介 电流传感器测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量各种电流传感器(霍尔电流传感器、罗氏线圈、皮尔森线圈等)的静态与动态参数,单台大电流源电流可高达1000A。该系统可测量不同电流传感器的静态与动态参数,具有大电流特性、极快的达到300A/us级上升沿、可测量KHz级带宽等特点,能实现零点漂移、线性度、
2024-04-15
数字源表测电流直流3A国产电流源
普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体,支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出,全系列产品丰富,新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表,相比于传统S系列源表,准确度提升至±0.03%,直流电流升级至3A,可为半导体行业提供更加精准
2024-04-12
vcsel芯片测试脉冲恒流源
vcsel芯片测试脉冲恒流源特点:(1)超窄脉冲大电流电流加电,能够满足VCSEL的晶圆和芯片的测试需要;(2)支持脉冲光功率和器件脉冲电压采样功能。是LIV测试的系统解决方案;(3)配备积分球和夹具,对芯片或仪表,做出快速验证。 技术指标 测试量:脉冲电压、脉冲电流、峰值光功率脉冲恒流输出:0~300mA量程,精度0.1%FS
2024-04-12
大电流脉冲源1000A脉冲电流源15μs超快上升沿
大电流脉冲源1000A脉冲电流源15μs超快上升沿特点50μs-500μs的脉冲宽度连续可调15μs超快上升沿(典型时间)两路同步测量电压0.3mV-18V0.1%测试精度单台5A-1000A程控输出,可多台并联最高达6000A支持过流保护、异常开路保护可快速测试IGBT或SiC的单管及半桥可适用于大电流传感器(阶跃)响应时间测试 ,详询一八一四零六
2024-04-12
分立器件测试仪iv曲线扫描仪
半导体分立器件是指以半导体材料为基础的单一元件,包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等,具有整流、放大、开关、检波,稳压、信号调制等多种功能,衡量晶体管性能好坏主要是通过I-V测试或C-V测试来提取晶体管的基本特性参数,并在整个工艺结束后评估器件的优劣。半导体分立器件特性参数测试是对待
2024-04-11

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